Nd: YVO4 kristall
Nd: YVO4 (Neodüümlisandiga ütriumvataat) on üks parimaid müügilolevaid materjale dioodiga pumbatavate tahkislaserite jaoks, eriti madala või keskmise võimsustihedusega laserite jaoks. Näiteks Nd: YVO4 on Nd: YAG-st parem valik väikese võimsusega kiirte genereerimiseks käeshoitavates osutites või muudes kompaktstes laserites. Nendes rakendustes Nd: YOV4 on Nd: YAG-ga võrreldes mõned eelised, nt pumbatava laserkiirguse kõrge neeldumine ja suur stimuleeritud emissiooni ristlõige.
Nd: YVO4 on hea valik väga polariseeritud väljundi jaoks lainepikkusel 1342 nm, kuna emissiooniliin on palju tugevam kui selle alternatiivide oma. Nd: YVO4 on võimeline töötama mitmete mittelineaarsete kristallidega, millel on kõrge NLO koefitsient (LBO, BBO, KTP), et tekitada valgust lähi-infrapunast rohelise, sinise või isegi ultraviolettkiirguseni.
Nd: YVO kohaldamise parima lahenduse saamiseks võtke meiega ühendust4 kristallid.
WISOPTILISED Võimed - Nd: YVO4
• Nd-dopingu suhte erinevad võimalused (0,1% ~ 3,0at%)
• Erinevad suurused (maksimaalne läbimõõt: 16 × 16 mm2; maksimaalne pikkus: 20 mm)
• mitmesugused katted (AR, HR, HT)
• Suur töötlemise täpsus
• Väga konkurentsivõimeline hind, kiire kohaletoimetamine
WISOPTIC standardi spetsifikatsioonid* - Nd: YVO4
| Dopingu suhe | Nd% = 0,2% ~ 3,0%% |
| Orienteerumistolerants | +/- 0,5 ° |
| Ava | 1 × 1 mm2~ 16 × 16 mm2 |
| Pikkus | 0,02 mm ~ 20 mm |
| Mõõtmete tolerants | (W ± 0,1 mm) × (H ± 0,1 mm) × (L + 0,5 / -0,1 mm) (L≥ 2,5 mm) (W ± 0,1 mm) × (H ± 0,1 mm) × (L + 0,2 / -0,1 mm) (L <2,5 mm) |
| Tasasus | <λ / 8 @ 632,8 nm (L 2,5 mm) <λ / 4 @ 632,8 nm (L <2,5 mm) |
| Pinna kvaliteet | <20/10 [S / D] |
| Parallelism | <20 ” |
| Risti | ≤ 5 ' |
| Chamfer | ≤ 0,2 mm @ 45 ° |
| Edastatud lainefrondi moonutamine | <λ / 4 632,8 nm |
| Selge ava | > 90% keskpiirkond |
| Pinnakate | AR = 1064 nm, R <0,1% ja HT = 808 nm, T> 95%; HR = 1064 nm, R> 99,8% ja HT = 808 nm, T> 95%; HR = 1064 nm, R> 99,8%, HR @ 532 nm, R> 99% ja HT = 808 nm, T> 95% |
| Laserkahjustuse lävi | > 700 MW / cm2 jaoks 1064nm, 10ns, 10Hz (AR-kattega) |
| * Nõudmisel eritingimustega tooted. | |
Nd eelised: YVO4 (võrreldes Nd-ga: YAG)
• laiem pumbatav ribalaius umbes 808 nm (5 korda suurem kui Nd: YAG)
• Suurem stimuleeritud emissiooni ristlõige 1064nm (3 korda suurem kui Nd: YAG)
• Madalam laserkahjustuslävi ja suurem kalde efektiivsus
• Erineb Nd: YAG, Nd: YVO4 on üheteljeline kristall, mis annab lineaarselt polariseeritud emissiooni, vältides liigset termiliselt põhjustatud kahekihilisust.
Nd laseromadused: YVO4 vs Nd: YAG
|
Kristall |
Doping （atm%） |
σ |
α (cm-1) |
τ (μs) |
Lα (mm) |
Lkth (mW) |
ηs (%) |
|
Nd: YVO4 |
1.0 |
25 |
31,2 |
90 |
0,32 |
30 |
52 |
|
2.0 |
25 |
72,4 |
50 |
0,14 |
78 |
48,6 |
|
|
Nd: YVO4 |
1.1 |
7 |
9,2 |
90 |
- |
231 |
45,5 |
|
Nd: YAG |
0,85 |
6 |
7.1 |
230 |
1,41 |
115 |
38,6 |
| σ - stimuleeritud emissiooni ristlõige, α - neeldumistegur, τ - fluorestsentsi kasutusiga Lα - neeldumispikkus, Pth - lävivõimsus, ηs - pumba kvantefektiivsus |
|||||||
Füüsikalised omadused - Nd: YVO4
| Aatomitihedus | 1,26x1020 aatomid / cm2 (Nd% = 1,0%) |
| Kristallstruktuur | Tsirkooni tetragonaal, kosmosegrupp D4h-I4 / amd a = b = 7,1193 Ä, c = 6,2892 Ä |
| Tihedus | 4,22 g / cm2 |
| Mohsi kõvadus | 4,6 ~ 5 (klaasitaoline) |
| Soojuspaisumistegur (300K) | αa= 4,43x10-6/ K, ac= 11,37x10-6/ K |
| Soojusjuhtivuse koefitsient (300K) | c: 5,23 W / (m · K); ⊥c: 5,10 W / (m · K) |
| Sulamispunkt | 1820 ℃ |
Optilised omadused - Nd: YVO4
| Liisingu lainepikkus | 914 nm, 1064 nm, 1342 nm |
| Murdumisnäitajad | positiivne üheteljeline, no= na= nb ne= nc no= 1,9573, ne= 2,1652 @ 1064 nm no= 1,9721, ne= 2,1858 @ 808 nm no= 2,0210, ne= 2,2560 @ 532 nm |
| Termiline optiline koefitsient (300K) | dno/dT=8,5x10-6/ K, dne/dT=3.0x10-6/ K |
| Stimuleeritud emissiooni ristlõige | 25,0x10-19 cm2 @ 1064 nm |
| Luminofoorlamp | 90 μs (1,0% Nd segus) @ 808 nm |
| Neeldumistegur | 31,4 cm-1 @ 808 nm |
| Imendumise pikkus | 0,32 mm @ 808 nm |
| Sisemine kaotus | 0,02 cm-1 @ 1064 nm |
| Suurendage ribalaiust | 0,96 nm (257 GHz) @ 1064 nm |
| Polariseeritud laserkiirgus | optilise teljega paralleelne (c-telg) |
| Diood pumbatakse optiliselt optiliseks efektiivsuseks | > 60% |
|
Polariseeritud emissioon |
Polariseeritud |
